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微电子所拟推荐国家科学技术奖励项目单一来源公示-2

发布时间：2025-06-16
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招标公司受业主委托，于2025-06-16在招标采购导航网发布：微电子所拟推荐国家科学技术奖励项目单一来源公示-2。各有关单位请与公告中招标负责人接洽联系，及时开展投标及相关工作，以免错失商业机会。

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<div style="width:1140px"><div style="width:1140px"><table style="width:100%"><tbody><tr><td><div><div><div><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><table border=0 width='100%' cellspacing=1 cellpadding=5 style='background:#ccc;'><tbody><tr><td style='background:#fff;padding:0 10px'><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'> <h2> 微电子所拟推荐国家科学技术奖励项目单一来源公示</h2> 稿件来源： 发布时间：2025-06-16 </div> <div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'> （略）拟从中国科学院提名推荐“14纳米以下集成电路贵颈苍贵贰罢关键核心技术与应用”申报国家科学技术奖励-技术发明奖。特进行公示，公示材料附后。公示期：2025年06月16日-2025年06月20日。公示期内如对公示内容有异议，请您向科技处、纪监审办公室反应。 以单位名义提出的异议，应在异议材料上加盖单位公章，签署法定代表人姓名，并写明（略）   （略） （略）。   科技处 2025年06月16日  <div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'> 技术发明奖 项目名称：14纳米以下集成电路贵颈苍贵贰罢关键核心技术与应用 拟提名者:中国科学院 完成人（完成单位）：&苍产蝉辫;叶甜春（（略）），朱慧珑（（略）），赵超（（略）），王文武（（略）），殷华湘（（略）），罗军（（略）） 知识产权和标准规范等目录：<div style='width:auto;word-wrap:break-word;white-space:normal;word-break:break-all;'><table border=0 width='100%' cellspacing=1 cellpadding=5 style='background:#ccc;'> <tbody> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 知识产权 ( 标准 ) 类别 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 知识产权 ( 标准 ) 具体名称 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 国家 ( 地区 ) <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 授权号 ( 标准 编号 ) <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 授权 ( 标准发布 ) 日期 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 证书编号 ( 标准批准 发布部门 ) <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 权利人 ( 标准起 草单位 ) <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明人 ( 标准起草人 ) <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 ( 标准 ) 有效状态</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 一种调节 CMOS器件阈 值的方法及   CMOS 器件 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN107 195631 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2019年 11月 12 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0171 0272 336. 7 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 叶甜春 ， 殷华湘 ， 张青竹 ， 赵超 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CMOSFET device with controlled threshold voltage characteristics and method of fabricating the same <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 美国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> US841 0541B2 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2013年 04月 02 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> US1 2/93 5364 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 王文武，朱慧珑，陈世杰 ， 陈大鹏 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CMOS器件及 调节 CMOS 器 件阈值的方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN108 511392 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2019年 11月 12 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0181 0096 680. X <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 殷华湘，姚佳欣，王文武 ， 叶甜春 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 控制阈值电压 特性的 CMOSFETs器 件结构及其制 造方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN101 964345 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2013年 11月 13 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0091 0089 597. 0 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 王文武，朱慧 珑，陈世杰 ， 陈大鹏 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 一种半导体器 件及其制造方 法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN102 299156 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2014年 02月 12 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0101 0220 686. 7 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 王文武 ， 韩锴 ， 王晓磊 ， 马雪丽 ， 陈大鹏 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 多栅晶体管及 其制造方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN102 881724 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2016年 08月 17 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0111 0199 673. 0 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 罗军 ， 赵超 ， 李俊峰 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 一种围栅器件 及其制造方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN110 233108 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2022年 07月 22 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0191 0549 560. 5 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 叶甜春 ， 殷华湘 ， 张青竹 ， 姚佳欣 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 提高浅沟槽隔 离化学机械平 坦化均匀性的 方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN102 789974 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2015年 10月 21 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0111 0125 319. 3 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 杨涛 ， 刘金彪 ， 李俊峰 ， 赵超 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 半导体装置及 其制造方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN104 681557 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2018年 02月 06 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0131 0627 406. 8 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 朱慧珑 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr> <tr> <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 发明专利 权 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 半导体装置及 其制造方法 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> CN104 681563 B <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 2018年 05月 08 日 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> ZL2 0131 0630 180. 7 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 中国科学院微 电子研究所 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 朱慧珑 <td style='background:#fff;padding:0 10px'> 有效专利</tr></tbody></table></div></div>    </div></tr></table></td></tr></table>

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