(略)拟参与长江存储科技有限责任公司申请“晶栈架构超高密度叁维闪存芯片关键技术及产业化”项目申报国家科学技术奖励-科学技术进步(特等奖或一等奖)。特进行公示,公示材料附后。公示期:2025年06月12日-2025年06月16日。公示期内如对公示内容有异议,请您向科技处、纪监审办公室反映。
以单位名义提出的异议,应在异议材料上加盖单位公章,签署法定代表人姓名,并写明(略)
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科技进步奖
项目名称:晶栈架构超高密度叁维闪存芯片关键技术及产业化
拟提名者:中国电子学会
完成人:霍宗亮(1)、刘明(2)、陈南翔(3)、杨士宁(4)、刘胜(5)、陈俊(6)、蔡一茂(7)、尹志尧(8)、赵晋荣(9)、程卫华(10)、潘立阳(11)、夏志良(12)、张兴(13)、周文斌(14)、侯春源(15)、童浩(16)、靳磊(17)、陈鲁(18)、吕光泉(19)、付祥(20)、华子群(21)、王晓峰(22)、刘威(23)、高晶(24)、王坚(25)、魏华征(26)、荆建芬(27)、朱顺全(28)、江宁(29)、王溯(30)、顾立勋(31)、肖楠(32)、
(33)、周文犀(34)、刘敏(35)、李广(36)、严利均(37)、李晶(38)、曾明(39)、杨永刚(40)、轩攀登(41)、蒋阳波(42)
完成单位:长江存储科技有限责任公司、(略)、北京大学、(略)、清华大学、武汉大学、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、拓荆科技股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、成都莱普科技股份有限公司、盛美半导体设备(上海)股份有限公司、安集微电子科技(上海)股份有限公司、湖北鼎龙控股股份有限公司、上海新阳半导体材料股份有限公司、厦门恒坤新材料科技股份有限公司
知识产权和标准规范等目录:
知识产权(标准)
类别
| 知识产权(标准)
具体名称
| 国家
(地区)
| 授权号
(标准编号)
| 授权(标准发布)日期
| 证书编号 (标准批准发布部门)
| 权利人(标准起草单位)
| 发明人(标准起草人)
| 发明专利(标准)有效状态
|
发明专利
| 叁维半导体器件及其制造方法
| 中国
| 颁狈(略)1叠
| 2017/5/3
| (略)
| (略)
| 霍宗亮
| 有效
|
发明专利
| Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same
| 美国
| 鲍厂(略)叠2
| 2016/9/6
| 鲍厂(略)叠2
| (略)
| 霍宗亮、刘明
| 有效
|